中安創芯半導體及電子設備制造項目

        總用地面積407.49畝，總建筑面積為419936.65㎡，總投資171095.25萬元，建設內容包括有4棟高層科研樓（裙房商業配套）、2棟宿舍樓（裙房商業配套）、1棟獨立食堂+文體中心綜合樓、8種類型廠房（廠房A、B、C、D、E、F、G、H組團）、環保組團、2棟動力用房、以及配套地下車庫及人防工程。項目建成后主要發展半導體電子產業、引進半導體及電子信息類項目。

        目前進展：一期：19棟廠房主體完成，二次結構完成、抹灰完成、外墻涂料完成98%、安裝工程完成98%，6棟配套樓主體完成，二次結構完成、抹灰完成90%，安裝工程完成80%，外墻保溫完成88%、外墻涂料完成87%，室外管網完成99%；二期：28棟廠房主體完成、二次結構完成、內抹灰完成、外墻涂料完成95%、安裝工程完成97%；1棟配套樓主體結構完成、二次結構完成、內抹灰完成95%；室外管網完成99%、第一層水穩層完成60%。